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现代军用电子装备正在向短、小、轻、薄、快等方向发展，实现集成化、小型化、轻量化更为关键。相应地，在现代军用电子装备中占有重要位置的高密度微波组件，对电子封装材料提出了越来越高的要求。传统的封装材料——Cu、Al、Kovar、W、Mo等，由于存在密度较大或热膨胀系数与半导体芯片不匹配的等不足，严重制约了微波组件的性能和可靠性的提高。铝碳化硅复合材料(其中63%~70%SiC)由于具有密度小、导热率高、热膨胀系数与LTCC或半导体芯片相匹配等突出优点，在欧美一些国家被广泛用作微波组件外壳。
由于铝碳化硅复合材料含碳化硅颗粒、其焊接性能较差，且在焊接过程中容易氧化，必须在其表面镀覆一层可焊性镀层，才能满足高性能微波组件封装的需求。该镀层既要与复合材料基体结合牢固，其自身又必须具有耐高温、抗氧化等特性，还要与焊料润湿良好。镍层打底，再在镍层上电镀金的镀层体系是一个很好的选择，国外通常采用这种方法。
目前，铝碳化硅复合材料分为两类，一类是均质复合材料，即碳化硅颗粒均匀的分布在铝合金中；另一类是梯度材料，比如在铝碳化硅复合材料表面制成一层铝合金。对于均质复合材料，由于其中碳化硅含量较高（63%~70%），直接按常用Al合金化学镀镍的方法较困难，需要采用预先加强的粗化、活化，然后化学镀镍的方法才可行。 对于梯度材料，如美国CPS公司的产品，复合材料表面有一薄层铝合金，可以直接采用常用的铝合金化学镀镍的方法制作稳定可靠的镀层。
国内，应该说铝碳化硅复合材料是一个新兴的材料，有多家单位已经开展研究工作，有的已经可以小批量供货。国内材料主要是均质的复合材料，梯度材料目前尚无厂家可以生产。对于表面镀覆，也有采用化学镀镍、电镀金类似方法的研究报导。由于国内在铝碳化硅复合材料的加工制作方面还不是太成熟，均匀性欠佳，加之复合材料中SiC含量高达70%，导致表面化学镀镍、电镀金易出现化学镀镍层附着力不好引起的起泡现象，成品率不高，质量不稳定。
针对以上的分析，我们根据铝碳化硅复合材料的特殊性，提出用真空镀膜的方法制作便于后续可焊性镀层制作的种子层。真空镀膜的方法可以保证铝碳化硅复合材料表面均匀覆盖一层金属，且在真空环境下经过等离子轰击清洗，膜层附着力容易保证。
具体的工艺流程为：丙酮、酒精超声→化学粗化→碱蚀→去灰→溅射钛铜→电镀镍→电镀金。
实践证明，该方法可靠性高，可重复性好，已用于某产品的生产，质量稳定。
摘要：
一．美国TTC（Thermal Transfer Composites）公司简介从1990开始，美国NASA着手对土星进行探测，并开始建造Cassini土星探测飞船，作为20世纪最大、最复杂的行星探测器，为了确保Cassini抵达土星后能顺利传回图像，NASA选择了LEC（Lanxide Eletronic Components）公司生产的铝碳化硅材料（AlSiC）作为飞船存储元件的封装材料...
摘要：
一．美国TTC（Thermal Transfer Composites）公司简介
从1990开始，美国NASA着手对土星进行探测，并开始建造Cassini土星探测飞船，作为20世纪最大、最复杂的行星探测器，为了确保Cassini抵达土星后能顺利传回图像，NASA选择了LEC（Lanxide Eletronic Components）公司生产的铝碳化硅材料（AlSiC）作为飞船存储...
摘要：
铜钼铜（CMC）材料是一种三明治结构的平板复合材料，它采用纯钼做芯材，双面再覆以纯铜或者弥散强化铜。这种材料的热膨胀系数可调，热导率高，耐高温性能优异，在电子封装中得到了广泛的运用。铜钼铜材料聊属于金属基平面层状复合型电子封装材料，这类电子封装复合材料的结构是层叠式，一般分为三层，中间层为低膨胀材料层，两边为高导电导热的材料层，当然，也有两层，或者四层复合层板。生产工...
摘要：
平行缝焊用盖板靠性研究
1 引言
目前平行缝焊工艺在有气密性要求的各种电子封装中大量使用。由于密封过程中封装体的温升较低、不使用焊料、对
器件性能影响较小、焊接强度高等优点，在对温度较敏感的电子元器件，如集成电路、混合集成电路、表面安装型石英晶
体振荡器、谐振器以及声表面波滤波器(SAW)等电子元器件封装中普遍采用...
摘要：
在复合封装材料研究方面，中国人有何进展？
九十年代初的时候，行内人说起金属基复合材料的研究单位，马上会想到三家：上海交大，哈工大和西工大。在复合封装材料
研究方面，上海交大由顾明元教授领衔，哈工大由武高辉教授领衔，西工大由于家康教授领衔。后来相继参与这方面研究的有：北京航空材料研究院的崔岩高工，国防科大的熊...
摘要：
1 引言
随着科学技术的不断发展和进步， 许多新型装
备都对整体工作性能和各项综合技术指标提出了愈
来愈高的要求， 特别是航空航天领域和军工领域以
及特种行业， 对产品的整体工作性能和各项综合技
术指标的要求更加苛刻和严格。为了满足产品的特
殊要求， 对产品中所使用的材料也往往提...
摘要：
将焊件紧密贴合，在一定温度和压力下保持一段时间，使接触面之间的原子相互扩散形成联接的焊接方法。影响扩散焊过程和接头质量的主要因素是温度压力扩散时间和表面粗糙度。焊接温度越高,原子扩散越快焊接温度一般为材料熔点的0.5～0.8倍...
摘要：
第一代封装材料：以可伐(Kovar)合金为代表，其热膨胀系数与芯片和陶瓷基片匹配，但热导率只有17
W/mK，密度大；
弟二代封装材料：以CuW 假合金（或称混合物）为代表，热导率比Kovar提高了十倍，但密度更大，
难以成形和加工；
第三代封装材料：以AlSiC复合材料为代表，除了具备与芯片和陶瓷基片匹配的热膨胀系数，热导率
超过170W/mK外，其密度只有CuW 的五...
摘要：
攻丝是属于比较困难的加工工序，因为丝锥几乎是被埋在工件中进行切削，其每齿的加工负荷比其它刀具都要大，并且丝锥沿着螺纹与工件接触面非常大，切削螺纹时它必须容纳并排除切屑，因此，可以说丝锥是在很恶劣的条件下工作的。为了使攻丝顺利进行，应事先考虑可能出现的各种问题。如工件材料的性能、选择什么的刀具及机床、选用多高的切削速度、进给量等。
在特殊工件材料上攻丝
工件材料的可加工性是攻丝难易的关...
摘要：
硬质合金刀具的硬涂层可提高刀具寿命和生产率。化学气相沉积(CVD)技术已从早期的单涂层发展到现在的由Tic、TiN、TiCN和Al2O3复合多涂层，而且通过选择涂层的顺序及涂层的总厚度来满足特种金属切削的要求，尤其是Al2O3涂层可提供包括高的抗扩散性磨损、优良的抗氧化性和高的热硬度等极好的高温性能，所以在铸铁及钢等材料高速加工获得广泛应用。
近年来，刀具制造商已引进中温(MT)CVD...
摘要：
难加工材料的界定及具体品种，随时代及专业领域而各有不同，例如，宇航产业常用的超耐热合金、钛合金及含有碳纤维的复合材料等，都是该领域的难加工材料。宇航业的工程技术人员开展了加工技术的研究与开发工作，已经研究出适合该领域使用的切削工具和加工方法。近年来，机械制品多功能、高功能化的发展势头十分强劲，要求零件必须实现小型化、微细化。为了满足这些要求，则所用材料必须...
摘要：
要想把alsic做成器件，平面磨是必不可少的。平面磨可以达到平行度、平整度和表面粗糙度三方面的技术精度，并且对于很多器件来
讲，是非常重要的一个加工环节。
设备需要：磨床、金刚石砂轮、烤箱；
工装：300＊500＊10mm的钢板，平面度达到所要磨的工件高一个数量级；
辅料：MQ粘接...
摘要：
AlSiC thermal management microwave housings
AlSiC provides an ideal material for microwave packaging applications. In
fact CPS developed the AlSiC material and the net-shape manufacturing
pro...
摘要：
历经三年中试，西安高新区建成中国第一条铝碳化硅生产线，设备技术先进，部分设备技术国际领先，具备年产200万片的生产能力。
随着电子产品发展，电路集成水平日新月异，电路封装热失效问题日益严重。铝碳化硅（AlSiC又写成Al-SiC或Al/SiC）金属基热管理复合材料，是电子元器件专用封装材料，主要是指将铝与高体积分数的碳化硅复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的封装材料，以解决电子电...
摘要：
DESIGN FEATURE
Draft Angle
- Required for casting process.
- 3 – 5° outside features
- 3 – 15° inside features (cavities)
Consider how drafted...
摘要：
AlSiC (Aluminum Silicon Carbide)metal matrix composite lids create an ideal packaging solution for Systems in Packaging (SiP) IC approaches.
The SiP technology combines multiple die with multi...
摘要：
AlSiC Flip-chip lids for System in Packaging (SiP) applications offer higher thermal and structural reliability along with greater packaging functionality and flexibility
The SiP technology co...
摘要：
High thermal and structural reliability for flip-chip lids used in Advanced Telecommunications Computing Architectures
The SiP technology combines multiple die with multiple functionalities in...
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